شما می توانید تکه های دیگری از این مطلب را در شماره بندی انتهای صفحه بخوانید              

با عنوان : نانوترانزیستور و کاربرد آن در مدارهای دیجیتال

در ادامه مطلب می توانید تکه هایی از ابتدای این پایان نامه را بخوانید

و در صورت نیاز به متن کامل آن می توانید از لینک پرداخت و دانلود آنی برای خرید این پایان نامه اقدام نمائید.

دانشگاه آزاد اسلامي
واحد تهران جنوب
دانشكده تحصيلات تكميلي
“M.Sc” پايان نامه براي دريافت درجه كارشناسي ارشد
مهندسي برق  الكترونيك
عنوان :
نانوترانزيستور و كاربرد آن در مدارهاي ديجيتال

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی گردد

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید                     

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

(ممکن می باشد هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود اما در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل می باشد)

چكيده:

خصوصيات ويژه نانوتيوبهاي كربني در حوزه الكترونيك باعث گسترش كاربرد آنها در زمينه هاي متفاوت شده می باشد. در اين پروژه به بررسي كاربرد نانوتيوبهاي كربني در ساخت ترانزيستورهاي FET خواهيم پرداخت . در آغاز ساختارهاي متفاوت نانوتيوبها ، نحوه تشكيل و خصوصيات هر يك از آنها مورد مطالعه قرار گرفته می باشد.

ما بر روي ترانزيستورهاي FET  ساخته شده با بهره گیری از نانوتيوبهاي كربني (CNFET) و مدلسازي آنها متمركز خواهيم گردید . اين ترانزيستورها بدليل امكان ساخت در محدوده ابعادي نانو ، جريان دهي بالستيك ( يا شبه بالستيك ) دارند . بنابراين جهت مدلسازي از تئوري ترانزيستورهاي با لستيك بهره گیری شده می باشد . در اين پروژه هدف از مدلسازي اين نوع ترانزيستور ها كاربرد آن در شبيه سازي مدارهاي ديجيتال بوده و با در نظر داشتن كاربرد در نظر گرفته شده ، ساده سازيهايي انجام شده تا در نهايت مدل ساده اي ارائه گردد كه توانايي به كارگيري توسط نرم افزار شبيه سازي مداري (HSPICE) را داشته باشد . مدل ارائه شده با بهره گیری از اين نرم  افزار (بصورت يك زير – مدار ) و به مقصود شبيه سازي مدارهاي ديجيتال و گيتهاي منطقي بكار گرفته شده می باشد.

مقدمه:

با رسيدن تكنولوژي سيليكوني به مرزهاي محدوديت ساخت مانند مشكلات جريان نشتي و تغييرات شديد پارامترهاي ترانزيستورهاي مشابه در ابعاد نانومتري و نياز به جايگزيني مواد جديد ، چند ساختار جديد براي يافتن بهترين جايگزين ترانزيستورهاي FET  مورد بررسي قرار گرفته می باشد .تحقيقات اخير در نانوالكترونيك پتانسيل بالاي ترانزيستورهاي نانوتيوب كربني جهت جايگزيني بجاي ترانزيستورهاي MOSFET کنونی را نشان داده اند.

نانوتيوبهاي كربني ساختارهايي استوانه اي از اتمهاي كربن هستند كه از پيچش صفحات گرافين تشكيل مي شوند. قطر نانومتري، استحكام مكانيكي و ضريب هدايت گرم ا يي بالا و پيوندهاي كوولانسي اشباع شده، اين تيوبها را به ساختارهاي بسيار مورد توجه در صنايع گوناگون تبديل كرده اس ت . مانند در صنعت الكترونيك و ساخت ترانزيستور ، چنين به نظر مي رسد كه اين نانوتيوبها بتوانند بسياري از مشكلات پيش روي اين صنعت در سالهاي آينده را رفع كنند.

ترانزيستورهاي CNFET به روشهاي گوناگون و مشخصه هاي متفاوت ساخته شده اند . بسياري از اين ترانزيستورها تنها از يك نانوتيوب كربني نيمه هادي به عنوان كانال بهره مي برند . در سالهاي اخير و با توسعه تكنولوژي نانو و ابزارهاي آن بهره گیری از چند نانوتيوب در زير يك گيت نيز مقدور گرديده می باشد . ترانزيستورهاي ساخته شده مشخصه هاي قابل توجهي از خود نشان داده اند و روز به روز بر امكان و احتمال جايگزيني تكنولوژي سيليكوني با تكنولوژي آميخته با نانو افزوده مي گردد.

 مانند برتري هاي ترانزيستور CNFET سرعت بالا و سطح اشغال شده بسيار كم آن مي باشد . اين مزايا در آينده موجب ساخت حافظه ها و مدارهاي ديجيتال با سرعت بالا و ابعاد كوچك خواهند گردید . اما در اينجا نيز لازم می باشد تا همانند تكنولوژي كنوني جهت پيش بيني عملكرد ترانزيستورها مدلي ارائه گردد كه بتواند با در نظر داشتن شرايط فيزيكي قطعه توصيف صحيحي از رفتار آن در مدار هاي مختلف داشته باشد . سادگي، سرعت و قابليت بكارگيري مدل توسط شبيه سازهاي مداري مانند موارد مهمي هستند كه بايد در مدلسازي قطعه مدنظر قرار گيرند.

تعداد صفحه : 96

قیمت : شش هزار تومان

 

***

—-

پشتیبانی سایت :       

———-          serderehi@gmail.com

دیدگاهتان را بنویسید